美国IR公司IGBT、快慢恢复二极管模块，晶闸管、整流二极管模块等系列的型号以及选型资料补充

发布时间： 2011-12-12　　点击次数： 2279次

软恢复二极管模块

V_RRM＝600V，1200V

I_F_（AV）＝7～900A

V_ISO＝2500V（RMS）

型号	V_RRM _V	I_RRM@ 125℃ 0.8V_RRM _mA	I_F_{（AV） @} T_C T_C=75℃ A	I_F（RMS）T_j₌75℃ A	I_F（RMS）f=20KHZ T_C=85℃ A	I_FSM_10ms 45℃ A	V_FM@ I_F_（AV）Tj=25℃ V A	t_rrTyp. 45℃ ns	R_thjc K/W	P_D max w	外壳结构代号
MZK200NJ20C	200	3	200	200	200	800	1.1 100	50	0.45	250	TK
MZK200NJ40C	400	5	200	200	200	800	1.3 100	75	0.45	250	TK
MZC75TS60S MZK75TS60S	600	17	2×75	2×110	2×56	2×1100	1.5 75	125	0.60	200	TS
MZC100TS60S MZK100TS60S	600	34	2×100	2×150	2×77	2×1500	1.5 100	132	0.50	250	TS
MZC150TS60S MZK150TS60S	600	34	2×150	2×230	2×112	2×2300	1.4 150	140	0.35	350	TS
MZC200TS60S MZK200TS60S	600	51	2×200	2×300	2×168	2×3100	1.6 200	155	0.20	416	TS
MZC300TS60S MZK300TS60S	600	68	2×300	2×430	2×224	2×4700	1.6 300	170	0.18	690	TS
MZC400TS60S MZK400TS60S	600	102	2×400	2×560	2×336	2×6200	1.6 400	200	0.18	690	TS
MZC75TS120S MZK75TS120S	1200	17	2×75	2×107	2×55	2×1000	2.3 75	150	0.35	350	TS
MZC100TS120S MZK100TS120S	1200	22	2×100	2×150	2×86	2×1300	2.1 100	150	0.30	416	TS
MZC150TS120S MZK150TS120S	1200	34	2×150	2×200	2×140	2×2000	2.3 150	188	0.20	625	TS
MZC200TS120S MZK200TS120S	1200	38	2×200	2×280	2×172	2×2700	2.2 200	188	0.18	695	TS
MZC300TS120S MZK300TS120S	1200	61	2×300	2×380	2×226	2×4000	2.4 300	231	0.10	1250	TS
MZC400TS120S MZK400TS120S	1200	83	2×400	2×560	2×312	2×5400	2.3 400	240	0.10	1250	TS
MZD600DD60S	600	140	600	840	450	8300	1.6 600	250	0.09	1400	DD
MZD900DD60S	600	205	900	1260	670	12400	1.7 900	270	0.07	1700	DD
MZD400DD120S	1200	102	400	600	320	5600	2.3 400	250	0.09	1400	DD
MZD450DD120S	1200	120	450	700	340	5900	2.3 450	250	0.09	1800	DD
MZD600DD120S	1200	160	600	840	450	8000	2.3 600	260	0.08	1500	DD
MZD800DD120S	1200	210	800	1120	560	11200	2.4 800	280	0.07	1700	DD

HL402B绝缘栅双极晶体（IGBT）厚膜驱动器

HL402B驱动器能直接驱动150A/1200V和300A/600V以下的IGBT。它具有先降栅压，后软关断的双重短路保护功能。它的降栅压时间、软关断斜率都可以通过外接电容器进行整定。能适应不同饱和压降的IGBT的驱动和保护。

特点：

内置具有静电屏蔽层的高速光耦以实现信号隔离，抗干扰能力强，响应速度快，隔离电压高。
具有降栅压、软关断双重保护功能，在软关断的同时能输出报警信号。
输出电压幅值高，正驱动电压15～16V，负驱动电压可达9～10V。

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